<menuitem id="wiwc1"><dfn id="wiwc1"></dfn></menuitem>

  • <tbody id="wiwc1"><div id="wiwc1"></div></tbody>
    <tbody id="wiwc1"></tbody>
    <track id="wiwc1"></track>

    <track id="wiwc1"><div id="wiwc1"></div></track>
    <bdo id="wiwc1"></bdo>
    <track id="wiwc1"></track>
    <bdo id="wiwc1"></bdo>
    <nobr id="wiwc1"></nobr>

      深圳市利盛達科技有限公司 利盛達科技讓電源設計更便捷可靠|聯系電話:13928434054
      請輸入料號
      P溝道mosfet 因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數載流子是電子,少數載流子是空穴,源漏區的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電

      按廠商進行篩選: TOREX (4) 茂鈿半導體 (3) 威世(Vishay) (3) ANPEC (3) AOS (1)
      商品列表
      • 型號
      • 廠商
      • 封裝
      • 功能簡介
      • PDF
      總計 17 個記錄,共 1 頁。 第一頁 上一頁 下一頁 最末頁

      快穿之拯救黑化boss男主

      <menuitem id="wiwc1"><dfn id="wiwc1"></dfn></menuitem>

    1. <tbody id="wiwc1"><div id="wiwc1"></div></tbody>
      <tbody id="wiwc1"></tbody>
      <track id="wiwc1"></track>

      <track id="wiwc1"><div id="wiwc1"></div></track>
      <bdo id="wiwc1"></bdo>
      <track id="wiwc1"></track>
      <bdo id="wiwc1"></bdo>
      <nobr id="wiwc1"></nobr>